99.5٪ 99.9٪ 99.95٪ هدف پاشیدن Chrome 3x3mm 6x6mm برای تبخیر مواد

سیلندر کروم برای تبخیر 99.5٪، 99.9٪، 99.95٪

اصل پوشش تبخیری:

فرآیند فیزیکی پوشش تبخیر از انتقال تبخیر مواد تا رسوب به شرح زیر است:

1. تبدیل انواع انرژی به انرژی گرمایی، حرارت دادن مواد آبکاری به تبخیر یا تعالی، و تبدیل شدن به ذرات گاز (اتم ها، مولکول ها یا گروه های اتمی) با انرژی معین (0.1-0.3ev).

2. با خروج از سطح مواد آبکاری، ذرات گازی با سرعت قابل توجهی در یک پرواز خطی اساساً بدون برخورد به سطح زیرلایه منتقل می شوند.

3. فیلم های فاز جامد از تراکم ذرات گازی روی سطح زیرلایه تشکیل می شوند.

4. اتم هایی که فیلم را تشکیل می دهند دوباره مرتب شده اند یا از نظر شیمیایی پیوند دارند.

انواع مختلفی از مواد پوشش تبخیری وجود دارد.در حال حاضر صدها مورد از آنها به طور عمده در بازار استفاده می شود.فرآیند تولید عمدتا شامل: خرد کردن کریستال، خرد کردن ذوب، کشیدن سیم، برش سیم، دانه بندی، پودر کردن، پرس قرص، ریخته گری، قالب گیری و غیره است. شکل محصول عمدتاً شامل: میله سیم، پودر، ذرات نامنظم، استوانه کوچک، توپ کوچک است. ، مخروط

محصولات اصلی عبارتند از:

 به شرح زیر: (ذرات، بلوک ها و پودرها را می توان سفارشی کرد) ذرات آلومینیوم 99.99٪ 3 * 3 میلی متر؛99.999% 3 * 3mm ذرات مس 99.99% 3 * 3mm;99.999% ذرات آهن 3 * 3 میلی متر 99.9% 2 * 3 میلی متر ذرات تیتانیوم 99.999% 6 * 6 میلی متر ذرات وانادیوم 99.9% 3 * 3 میلی متر ذرات نیکل 99.999% 6 * 6 میلی متر ذرات 6 * 6 میلی متر 6 * 6 میلی متر ذرات کروم 9.9 میلی متر 59.9 میلی متر ذرات 59 میلی متر 59 میلی متر 59.9 میلی متر ٪ 1-10 میلی متر ذرات باریم 99.6٪ 2-6 سانتی متر (به عنوان اکسید کننده) ذرات کلسیم 99.5٪ 1-3 میلی متر (به عنوان اکسید زدا استفاده می شود) ذرات تنگستن 99.95٪ 6 * 6 میلی متر ذرات نیوبیوم 99.95٪ 6 * 6 میلی متر تایم 6.9 میلی متر ذرات 6 میلی متر %6 ذرات 99.95% 6 * 6mm ذرات زیرکونیوم 99.5% 1.6 * 5mm;99.95% 2.4 * 5mm کریستال میله هافنیوم 99.9% d21mm ذرات هافنیوم 99.9%.

آلومینیوم با خلوص بالا، مس مس با خلوص بالا، تیتانیوم تیتانیوم با خلوص بالا، سیلیسیم با خلوص بالا، طلا با خلوص بالا طلا، نقره با خلوص بالا، ایندیم با خلوص بالا در، منیزیم با خلوص بالا، میلی‌گرم منیزیم، روی با خلوص بالا، Pt پلاتین با خلوص بالا، ژرمانیوم با خلوص بالا جنرال الکتریک، نیکل نیکل با خلوص بالا، تانتالیم TA با خلوص بالا، آلیاژ طلا ژرمانیوم اوج، آلیاژ نیکل طلا auni، آلیاژ نیکل کروم NiCr، آلیاژ آلومینیوم تیتانیوم TiAl، آلیاژ مس ایندیم گالیوم کوینگا، آلیاژ مس ایندیم گالیوم کوینگا، آلیاژ مس ایندیم گالیم کوینگا، آلیاژ مس ایندیم گالیم زی، آلیاژ آلومینیوم سلنیوم آلیاژ ZnAl، آلیاژ سیلیکون آلومینیوم AlSi و سایر مواد پوشش فلزی.

نظریه هسته زایی و رشد مواد لایه نازک

1. فرآیند هسته زایی خود به خودی توسط انرژی آزاد انتقال فاز هدایت می شود.

2. هسته زایی غیر خود به خودی - علاوه بر نیروی محرکه انرژی آزاد انتقال فاز، عوامل دیگری نیز برای کمک به تشکیل هسته های فاز جدید وجود دارد.

3. مدل باند کریستالی رشد فیلم

سه فرآیند رسوب اتم وجود دارد: رسوب یا جذب اتم بخار، انتشار سطحی و انتشار توده ای.

تشکیل ساختار فیلم ارتباط نزدیکی با دمای بستر TS / TM و انرژی اتم‌های رسوب‌شده دارد.TS دمای بستر و TM نقطه ذوب مواد رسوب‌شده است.